8:30-9:10	注册
9:10-9:20	欢迎致辞
9:20-9:50	开幕演讲
	Speech Opportunity reserved
10:15-10:40	从制造角度看氮化镓激光 前端技术项目经理，
10:15-10:40	下一代Micro LED显示技术进展 李允立 首席执行官，錼創科技
10:40-11:05	用于PSS AOI的光学镜头的设计及评估 马铁中 首席执行官，昂坤视觉（北京）科技有限公司
11:05-11:30	深紫外LED氮化铝衬底单晶生长技术最新进展及未来面临的挑战 吴亮 首席工程师，协鑫光伏材料有限公司
11:05-11:30	高效率氮化物LED芯片市场及技术发展趋势 王江波 副总裁，华灿光电股份有限公司
12:00-13:30	午餐

13:30-14:00	硅基氮化镓-一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术 Dr. Chief Marketing Officer,
14:00-14:30	对宽禁带功率器件的期望 高级工程师，
14:30-15:00	Status of Development and Mass Production for SiC Power Device Hiroshi Kanazawa Marketing Unit Manager, Showa Denko K.K. 昭和电工
15:00-15:30	TBD NMC 北方微电子
15:30-16:00	用于高效电力电子半导体器件的GaN和SiC外延生产技术的进一步发展 AIXTRON 德国爱思强股份有限公司
16:00-16:30	TBD TBD TBD
16:30-17:00	GaN E-HEMT-下一代电源转换时代 Senior Director, Asia, Sales, Mktg, & Apps, Inc.

09:30-9:55	TBD SANAN IC
09:55-10:20	应用于移动通讯的高效高可靠氮化镓射频器件开发 裴轶 器件技术总监，能讯高能半导体
10:20-10:45	稳想半导体0.450/25 微米氮化镓高速电子元件之发展 C.K. Lin 总监，股份有限公司
10:45-11:10	TBD Tom Thieme Director Marketing and Sales, LayTec AG
11:10-11:35	Wayne Johnson Vice President & Head of Power Business Unit, IQE
11:35-12:00	TBD TBD 演讲机会被预订
12:00-13:30	午餐

13:30-14:00	TBD TBD 演讲机会被预订
14:00-14:30	Arnost Kopta Head of BiMOS, ABB
14:30-15:00	新型结构晶体管及新一代功率芯片的研究 王鹏飞 首席技术官，东微半导体
15:00-15:30	TBD Benjamin Lee 技术市场和产品战略部总监，应用材料
15:30-16:00	电力系统电力电子器件需求、现状及发展趋势 邱宇峰 党组书记，全球能源互联网研究院
16:00-16:30	硅、碳化硅和氮化镓功率器件的薄膜工艺 Evatec
16:30-17:00	闭幕演讲 Towerjazz