蔡树军研究员，美国UCLA电子工程系博士毕业，现任中国电科十三所科技委主任、副所长，电子科技大学、西安电子科技大学、北京理工大学兼职教授、博士生导师。长期从事微波半导体器件研究工作。发表专业文章170余篇。

邱教授2003年在台湾中央大学电机系固态组取得博士学位后，加入了亚洲第一家六吋砷化镓代工厂(现在世界最大砷化镓器件代工厂)-稳懋半导体。2004年加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备，2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发，2010年取得正教授资格。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室，2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块，氮化镓微波晶体管与模块。2012年担任长庚大学高速智能通讯研究中心主任，来年也担任长庚大学光电所所长。

Peter Brückner于2004年获得乌尔姆大学电气工程工学硕士学位。之后，他成为乌尔姆大学光电子学研究所的科研人员，致力于氮化镓外延和独立氮化镓衬底领域的工学博士学位并于2008年获得博士学位。2008至2010年他在United Monolithic Semiconductors做GaN HEMT技术研发工程师。2011年他加入德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所，现在的重心在short gate-length GaN HEMT on SiC技术发展上。他现在负责蚀刻技术组，并领导着若干IAF项目。

张志国，博士、博士后、研究员，,具有十五年宽禁带半导体研发、生产和管理经历，是国内较早在此领域开展研究人员之一。牵头建立了国内首个GaN微波功率器件工艺技术研发平台，编写了国内首套研发工艺和检验规范。基于此平台后续研制的GaN微波功率器件和芯片产值超亿元。研制出国内第一支瓦级GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，为后续规模应用奠定工艺和理论基础。开发了国内首个X波段GaN MMIC工程化产品，形成详细规范并在系统中进行验证和试用。先后承担和参与十几项国家重大专项、北京市重大项目等，发表论文四十余篇。作为专家参与多项国家级和北京市宽禁带半导体规划工作。