，深圳方正微电子产品开发处处长，方正集团技术专家；毕业于电子科技大学微电子科学与工程系，拥有20年以上半导体专业工作经验具有丰富的工艺整合、器件设计开发及器件结构分析、产品失效分析等经验；主要负责技术有GaN器件研发，SIC SBD/MOS器件研发，HVCMOS，VDMOS，BICMOS，CMOS（1.0um～0.35um），1.0um700V BCD，Trench SBD等技术；主导公司省市政府科技项目超过10项，具有丰富的科研项目开发和管理经验。申请半导体制造相关专利50多项，授权20项。参与发表国际核心期刊论文7篇以上。

　　2007年毕业于清华大学电机系，2014年毕业于剑桥大学获电力电子专业博士学位。主要研究方向为功率半导体器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、设计、制造及应用，在国际著名期刊和会议上发表多篇论文，在功率半导体器件和应用领域拥有专利二十余项。

　　博士创立的基本半导体是中国碳化硅功率器件领导企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，覆盖碳化硅产业链的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各个环节。基本半导体自主研发碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和车规级全碳化硅功率模块，产品性能达到国际领先水平，广泛应用于新能源汽车、新能源发电、轨道交通和智能电网等领域。

票种名称

价格

原价

票价说明