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2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京)
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2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京)已过期

发票类型:增值税普通发票 增值税专用发票
领取方式:会后快递 会前快递
发票内容: 会议费 会务费 会议服务费
参会凭证:现场凭电话姓名参会

        会议日程

        (最终日程以会议现场为准)


        • Introduction to Power Devices, Power ICs and Power SoCs,a Historical Perspective
        • Discrete and Integrated Power Semiconductor Devices
        • Power MOSFETs, IGBTs
        • FOM, SOA and Reliability

        • Power Output Stage
        • Understanding Power Device Data Sheets
        • Evolution of Power IC Technology
        • The Semiconductor Industry and More than Moore

        • GaN and SiC Material Properties
        • Depletion and Enhancement Mode GaN Power HEMTs
        • Cascode Configuration
        • Integrated GaN Output Stage/Pre-driver
        • SiC Power MOSFETs and IGBTs

        • Switching Behavior of Power MOSEFTs and IGBTs
        • Gate Charge and Miller Plateau
        • Gate Drive Power Loss
        • Basic Gate Drive Circuit
        • Gate Resistor

        • Low-side and High-side Drivers for Half and Full-bridges
        • Bootstrap Power Supply
        • Level Shifting and Isolation
        • Low-side to High-side Communication
        • dv/dt, di/dt, and Ringing Oscillation
        • Dead-time
        • UVLO Protection

        • Custom Design vs. Off the Shelf Driver ICs
        • Dynamic Gate Drive
        • Current Sensing/Fault Detection
        • Parallel Operation/Surge Suppression

        (cont’d)

        • dv/dt, di/dt Controls
        • EMI Suppression
        • Body-Diode Conduction and Reverse Conduction
        • Dead-time Correction

        (续)

        校正

        (cont’d)

        • Integrated Cascode Gate Drivers for D-mode GaN Transistors
        • Integrated Gate Drivers for E-mode GaN Transistors
        • Co-packaged Power Modules
        • Future Trends on Intelligent Power Modules

        (续)

        • Gate Current Sourcing/Sinking
        • Gate Resistor Selection
        • Gate Drivers for Silicon Devices
        • Predictive Gate Drive
        • Gate Drivers for GaN and SiC Devices

        会议嘉宾

        (最终出席嘉宾以会议现场为准)


        参会指南


        注册费:4600元/人,含参会,住宿交通自理。

        温馨提示酒店与住宿:为防止极端情况下活动延期或取消,建议“异地客户”与manbext客户端下载客服确认参会信息后,再安排出行与住宿。退款规则:活动各项资源需提前采购,购票后不支持退款,可以换人参加。

        标签: IGBTs WBG

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        • 会员折扣
          该会议支持会员折扣 具体折扣标准请参见plus会员页面
        • 会员返积分
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        • 会员积分抵现
          根据会员等级的不同,每抵用1元可使用的积分也不一样,具体可参见PLUS会员页面。 仅PC站支持。

        主办方没有公开参会单位

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